文献
J-GLOBAL ID:200902015847256086
整理番号:90A0862565
低温分子線エピタキシァルGaAsにおいて生じる異常Hall効果 ちゅう密なEL2状バンドにおけるホッピング
Anomalous Hall-effect results in low-temperature molecular-beam-epitaxial GaAs: Hopping in a dense EL 2-like band.
著者 (6件):
LOOK D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
WALTERS D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
MANASREH M O
(Wright Research and Development Center/ELRA, Ohio)
,
SIZELOVE J R
(Wright Research and Development Center/ELRA, Ohio)
,
STUTZ C E
(Wright Research and Development Center/ELRA, Ohio)
,
EVANS K R
(Universal Energy Systems, Ohio)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
42
号:
6
ページ:
3578-3581
発行年:
1990年08月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)