前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902016147912019
整理番号：90A0881756
Ge:Cu薄膜トランジスタ中のゲルマニウムの電気特性とその再結晶化プロセスに及ぼす銅の低ドーピング濃度の影響
The influence of low copper doping concentrations on the recrystallization process in and the electrical properties of germanium in Ge:Cu thin film transistors.
DOUTRELOIGNE J
(Ghent State Univ., Ghent, BEL)
,
DE BAETS J
(Ghent State Univ., Ghent, BEL)
,
DE RYCKE I
(Ghent State Univ., Ghent, BEL)
,
DE SMET H
(Ghent State Univ., Ghent, BEL)
,
VAN CALSTER A
(Ghent State Univ., Ghent, BEL)
,
VANFLETEREN J
(Ghent State Univ., Ghent, BEL)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 189 号： 2 ページ： 235-245 発行年： 1990年08月15日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。