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文献
J-GLOBAL ID：200902016400421825
整理番号：91A0171233
Si上SrTiO3薄膜キャパシタ中の高キャパシタンス密度実現バリア層
Barrier layers for realization of high capacitance density in SrTiO3 thin-film capacitor on silicon.
SAKUMA T
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
YAMAMICHI S
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
MATSUBARA S
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
YAMAGUCHI H
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
,
MIYASAKA Y
(NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 57 号： 23 ページ： 2431-2433 発行年： 1990年12月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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