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文献
J-GLOBAL ID：200902016747882822
整理番号：90A0605569
有機金属気相エピタクシーによる(100)GaAs上のCdTe膜の初期成長機構のX線光電子分光法およびAuger電子分光法による分析
X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy analyses of the initial growth mechanism of CdTe layers on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy.
EKAWA M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
YASUDA K
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
SONE S
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
SUGIURA Y
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
SAJI M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
TANAKA A
(Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 67 号： 11 ページ： 6865-6870 発行年： 1990年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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