文献
J-GLOBAL ID:200902017288438880
整理番号:91A0195255
反応ガスとしてジクロロシランとジフルオロシランを用いるけい素の低温の熱CVDエピタクシ
Low temperature silicon thermal CVD epitaxy using dichlorosilane and difluorosilane as reactant gas.
著者 (5件):
NAGIRA S
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
HATANO A
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
TAKEUCHI M
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
,
KURODA E
(Nagoya Coll. Music, Nagoya, JPN)
,
MIGITAKA M
(Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
106
号:
4
ページ:
719-723
発行年:
1990年12月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)