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文献
J-GLOBAL ID：200902017466381090
整理番号：92A0363759
UV光照射によるシリコンの促進された窒化
Enhanced-Nitridation of Silicon by UV-Irradiation.
ISHIKAWA Y
(Nippon Inst. Technology, Saitama)
,
KOBAYASHI I
(Nippon Inst. Technology, Saitama)
,
NAKAMICHI I
(Nippon Inst. Technology, Saitama)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 31 号： 4B ページ： L443-L445 発行年： 1992年04月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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