文献
J-GLOBAL ID:200902017985819558
整理番号:86A0275971
ひ素圧を制御した分子ビームエピタキシーで成長させたGaAs膜の表面形態
Surface morphologies of GaAs layers grown by arsenic-pressure-controlled molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
WANG Y H
(National Cheng-Kung Univ., Taiwan)
,
LIU W C
(National Cheng-Kung Univ., Taiwan)
,
CHANG C Y
(National Cheng-Kung Univ., Taiwan)
,
LIAO S A
(National Cheng-Kung Univ., Taiwan)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
4
号:
1
ページ:
30-36
発行年:
1986年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)