文献
J-GLOBAL ID:200902018700148210
整理番号:89A0350878
EEPROMのトンネル酸化膜厚のスケールダウンを制限するストレスによって誘起される漏れ電流
Stress induced leakage current limiting to scale down EEPROM tunnel oxide thickness.
著者 (3件):
NARUKE K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAGUCHI S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
WADA M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1988
ページ:
424-427
発行年:
1988年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)