文献
J-GLOBAL ID:200902018701703144
整理番号:86A0489952
イオン化クラスタビームを利用した低温エピタキシー
Low temperature epitaxy by ionized-cluster beam.
著者 (4件):
YAMADA I
(Kyoto Univ.)
,
TAKAOKA H
(Kyoto Univ.)
,
USUI H
(Kyoto Univ.)
,
TAKAGI T
(Kyoto Univ.)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
4
号:
3 Pt 1
ページ:
722-727
発行年:
1986年05月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)