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J-GLOBAL ID：200902018973227635 整理番号：88A0270279

1,2および4μm幅の多層磁気抵抗メモリセルのしきい値特性

Threshold properties of 1, 2 and 4μm multilayer magneto-resistive memory cells.

著者 (5件)：

POHM A V

(Iowa State Univ., IA, USA)

DAUGHTON J M

(Honeywell Corp., MN, USA)

COMSTOCK C S

(Iowa State Univ., IA, USA)

YOO H Y

(Iowa State Univ., IA, USA)

HUR J

(Iowa State Univ., IA, USA)

資料名：

IEEE Transactions on Magnetics (IEEE Transactions on Magnetics)

巻： 23 号： 5 Pt.1 ページ： 2575-2577 発行年： 1987年09月
JST資料番号： A0339B ISSN： 0018-9464 CODEN： IEMGAQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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