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文献
J-GLOBAL ID：200902019328225721
整理番号：92A0332109
イオン注入の損傷発生によるGaAs接合の降伏電圧特性の改良
Improvement of breakdown voltage characteristics of GaAs junction by damage-creation of ion-implantation.
SHIMAMOTO Y
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
TANAKA T
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
ITAKURA K
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
UEDA D
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
資料名：
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号： 120 ページ： 199-202 発行年： 1992年
JST資料番号： E0403B ISSN： 0305-2346 CODEN： IPHSAC 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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