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文献
J-GLOBAL ID：200902020257944053
整理番号：85A0422582
GaAs/AlGaAs多重量子井戸と変調ドープヘテロ接合のバンド間遷移のフォトリフレクタンスによる評価
Photoreflectance characterization of interband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells and modulation-doped heterojunctions.
GLEMBOCKI O J
(Naval Research Lab., Washington, DC)
,
SHANABROOK B V
(Naval Research Lab., Washington, DC)
,
BOTTKA N
(Naval Research Lab., Washington, DC)
,
BEARD W T
(Naval Research Lab., Washington, DC)
,
COMAS J
(Naval Research Lab., Washington, DC)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 46 号： 10 ページ： 970-972 発行年： 1985年05月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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