文献
J-GLOBAL ID:200902020321030303
整理番号:87A0159219
n-GaInAs上のa-Si:H Schottkyゲート
a-Si:H Schottky gate on n-GaInAs.
著者 (4件):
LOUALICHE S
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA)
,
VAUDRY C
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA)
,
HENRY L
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA)
,
LE CORRE A
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, Lannion, FRA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
22
号:
17
ページ:
896-898
発行年:
1986年08月14日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)