文献
J-GLOBAL ID:200902020548682650
整理番号:82A0105030
分子線エピタキシーで成長させたシリコンにおける高ドープおよび低ドープのシャープな分布
Sharp profiles with high and low doping levels in silicon grown by molecular beam epitaxy.
著者 (3件):
IYER S S
(Univ. California at Los Angeles)
,
METZGER R A
(Univ. California at Los Angeles)
,
ALLEN F G
(Univ. California at Los Angeles)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
9
ページ:
5608-5613
発行年:
1981年09月
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)