文献
J-GLOBAL ID:200902020571847399
整理番号:88A0174618
2層レジストイメージリバーサル法を用いたサブミクロンコンタクトホールの形成
Bi-level image reversal resist process for sub-micron contact hole generation.
著者 (3件):
山内孝裕
(沖電気工業 超LSI開セ)
,
田口隆
(沖電気工業 超LSI開セ)
,
大塚博
(沖電気工業 超LSI開セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
87
号:
291
ページ:
25-30(SDM87-148)
発行年:
1987年12月11日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)