文献
J-GLOBAL ID:200902020596775783
整理番号:90A0443214
けい素上のダイヤモンド薄膜の成長および境界のTEM観察
Growth of diamond thin films on silicon and TEM observation of the interface.
著者 (4件):
KOBAYASHI K
(Industrial Research Inst. Kanagawa Prefecture, Yokohama, JPN)
,
KARASAWA S
(Industrial Research Inst. Kanagawa Prefecture, Yokohama, JPN)
,
WATANABE T
(Industrial Research Inst. Kanagawa Prefecture, Yokohama, JPN)
,
TOGASHI F
(Science Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
99
号:
1/4 Pt.2
ページ:
1211-1214
発行年:
1990年01月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)