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文献
J-GLOBAL ID：200902020610357264
整理番号：89A0586670
ダイヤモンド薄膜とシリコンカーバイド薄膜 広帯域ギャップ半導体素材としての現状と展望
Diamond and silicon carbide thin films: Present status and potential as wide band gap semiconducting materials.
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
International Journal of Materials & Product Technology
(International Journal of Materials & Product Technology)
巻： 4 号： 2 ページ： 81-103 発行年： 1989年
JST資料番号： T0305A ISSN： 0268-1900 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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