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文献
J-GLOBAL ID：200902020809380753
整理番号：82A0469739
イオン注入したシリコンのせん光ランプによる焼なまし
Flash lamp annealing of ion implanted silicon.
HEINIG K H
(Central Inst. Nuclear Research, GDR)
,
HOHMUTH K
(Central Inst. Nuclear Research, GDR)
,
KLABES R
(Central Inst. Nuclear Research, GDR)
,
VOELSKOW M
(Central Inst. Nuclear Research, GDR)
,
WOITTENNEK H
(Central Inst. Nuclear Research, GDR)
資料名：
Radiation Effects
(Radiation Effects)
巻： 63 号： 1/4 ページ： 115-123 発行年： 1982年
JST資料番号： A0224A ISSN： 0033-7579 CODEN： RAEFBL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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