文献
J-GLOBAL ID:200902020986512074
整理番号:83A0345484
VLSI物質 埋め込み型酸化物SOIとSOSの比較
VLSI materials: A comparison between buried oxide SOI and SOS.
著者 (6件):
HAMDI A H
(North Texas State Univ.)
,
McDANIEL F D
(North Texas State Univ.)
,
PINIZZOTTO R F
(Texas Instruments Inc.)
,
MATTESON S
(Texas Instruments Inc.)
,
LAM H W
(Texas Instruments Inc.)
,
MALHI S D S
(Texas Instruments Inc.)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
30
号:
2
ページ:
1722-1725
発行年:
1983年04月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)