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文献
J-GLOBAL ID：200902021492638535
整理番号：90A0493940
GaとNをドープした6H-SiCの高温ルミネセンス
High-temperature luminescence in 6H-SiC doped with Ga and N.
IVANOV A I
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
,
MOKHOV E N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
,
ODING V G
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
,
VAVILOV V S
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
,
VODAKOV YU A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
,
CHUKICHEV M V
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
資料名：
Soviet Technical Physics Letters
(Soviet Technical Physics Letters)
巻： 15 号： 9 ページ： 677-678 発行年： 1989年09月
JST資料番号： H0665A ISSN： 0360-120X CODEN： STPLD2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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