文献
J-GLOBAL ID:200902021830918875
整理番号:89A0587052
MBE成長AlGaAs/GaAs量子井戸における成長速度,界面品質,不純物混入のフラックス比依存性
Flux ratio dependence of growth rate, interface quality, and impurity incorporation in MBE grown AlGaAs/GaAs quantum wells.
著者 (5件):
KOEHRBRUECK R
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
MUNNIX S
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
BIMBERG D
(Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
LARKINS E C
(Stanford Univ., CA, USA)
,
HARRIS J S JR
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
96
ページ:
65-68
発行年:
1989年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)