文献
J-GLOBAL ID:200902022264016830
整理番号:91A0719200
シンクロトロン放射X線トポグラフィーによるLEC成長GaAsバルク結晶中のひずみ変化の研究
Study of strain variation in LEC-grown GaAs bulk crystals by synchrotron radiation X-ray topography.
著者 (1件):
MATSUI J
(NEC Corp., Tsukuba, JPN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
50
ページ:
1-8
発行年:
1991年06月
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)