文献
J-GLOBAL ID:200902023279766310
整理番号:91A0659806
ZnSeバッファ層を挿入することによるSi上GaAsのヘテロエピタクシーの改良
Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si by incorporating a ZnSe buffer layer.
著者 (4件):
LEE M K
(National Sun Yat-Set Univ., Kaohsiung, TWN)
,
HORNG R H
(National Sun Yat-Set Univ., Kaohsiung, TWN)
,
WUU D S
(National Sun Yat-Set Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN P C
(National Sun Yat-Set Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
59
号:
2
ページ:
207-209
発行年:
1991年07月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)