文献
J-GLOBAL ID:200902023340353236
整理番号:83A0329805
シリコン中の置換型3d不純物および格子間3d不純物の理論
Theory of substitutional and interstitial 3d impurities in silicon.
著者 (2件):
ZUNGER A
(Solar Energy Research Inst., Colorado)
,
LINDEFELT U
(Univ. Lund, Sweden)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
26
号:
10
ページ:
5989-5992
発行年:
1982年11月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)