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文献
J-GLOBAL ID：200902023435143948
整理番号：86A0505248
多量にドープした高補償GaAs:Siの非弾性光散乱
Inelastic light scattering from heavily doped and highly compensated GaAs: Si.
KAMIJOH T
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
,
HASHIMOTO A
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
,
TAKANO H
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
,
SAKUTA M
(Oki Electric Industry Co. Ltd., Tokyo)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 59 号： 7 ページ： 2382-2386 発行年： 1986年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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