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文献
J-GLOBAL ID：200902024556789086
整理番号：93A0165292
反応性マグネトロンスパッタ法で作製したZr-N膜の性質に対する窒素圧とRFパワーの効果およびサーミスタへの応用
Effects of Nitrogen Pressure and RF Power on the Properties of Reactive Magnetron Sputtered Zr-N Films and an Application to a Thermistor.
YOSHITAKE M
(Osaka Prefectural Industrial Technology Research Inst., Osaka)
,
YOTSUYA T
(Osaka Prefectural Industrial Technology Research Inst., Osaka)
,
OGAWA S
(Osaka Prefectural Industrial Technology Research Inst., Osaka)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 31 号： 12A ページ： 4002-4009 発行年： 1992年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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