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文献
J-GLOBAL ID：200902025026031677
整理番号：85A0257043
表面と埋込みチャネルFET間の設計トレードオフ
Design tradeoffs between surface and buried-channel FET’s.
HU G J
(Sierra Semiconductor Corp., CA)
,
BRUCE R H
(Xerox Corp., CA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 32 号： 3 ページ： 584-588 発行年： 1985年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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