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文献
J-GLOBAL ID：200902025027851767
整理番号：89A0361028
微斜面上のGaAs-AlGaAs単一量子井戸のMBE成長中の表面拡散
Surface diffusion during MBE growth of GaAs-AlGaAs single quantum wells on vicinal surfaces.
KANAMOTO K
(Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
,
FUJIWARA K
(Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
,
TOKUDA Y
(Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
,
TSUKADA N
(Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
,
ISHII M
(Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
,
NAKAYAMA T
(Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 95 号： 1/4 ページ： 273-276 発行年： 1989年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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