文献
J-GLOBAL ID:200902025556687638
整理番号:89A0618499
多孔性シリコン形成過程における孔の優先伝搬 透過電顕研究
Preferential propagation of pores during the formation of porous silicon: A transmission electron microscopy study.
著者 (3件):
CHUANG S-F
(Massachusetts Inst. Technology, Massachusetts)
,
COLLINS S D
(Univ. California, California)
,
SMITH R L
(Univ. California, California)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
55
号:
7
ページ:
675-677
発行年:
1989年08月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)