文献
J-GLOBAL ID:200902026620040976
整理番号:87A0047775
分光偏光解析法による微細結晶シリコンの成長のその場観察
In situ spectroscopic ellipsometry study of the growth of microcrystalline silicon.
著者 (3件):
KUMAR S
(Ecole Polytechnique Palaiseau, FRA)
,
DREVILLON B
(Ecole Polytechnique Palaiseau, FRA)
,
GODET C
(Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
60
号:
4
ページ:
1542-1544
発行年:
1986年08月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)