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文献
J-GLOBAL ID：200902026974300150
整理番号：91A0310844
多孔性シリコン形成:量子細線効果
Porous silicon formation: A quantum wire effect.
LEHMANN V
(Duke Univ., North Carolina)
,
GOESELE U
(Duke Univ., North Carolina)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 58 号： 8 ページ： 856-858 発行年： 1991年02月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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