文献
J-GLOBAL ID:200902028288684506
整理番号:90A0663786
低濃度ボロンを含むシリコンの陽極化成層中の孔の生成機構
Formation mechanism of micropores in lightly boron doped silicon by anodization.
著者 (4件):
木下彬
(東京電機大 理工)
,
本橋章
(東京電機大 理工)
,
山名昌男
(東京電機大 理工)
,
中野朝安
(東京電機大 理工)
資料名:
電子情報通信学会論文誌 C-2
(Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻:
73
号:
2
ページ:
129-131
発行年:
1990年02月
JST資料番号:
L0196A
ISSN:
0915-1907
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)