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文献
J-GLOBAL ID：200902028786998380
整理番号：88A0512165
減圧化学蒸着による自己整合性のTiとPtNiのけい素化合物上の選択的タングステン成長
Growth of selective tungsten on self-aligned Ti and PtNi silicides by low pressure chemical vapor deposition.
BROADBENT E K
(Philips Research Lab., CA, USA)
,
MORGAN A E
(Philips Research Lab., CA, USA)
,
DEBLASI J M
(Philips Research Lab., CA, USA)
,
VAN DER PUTTE P
(Philips Research Lab., CA, USA)
,
READER A
(Philips Research Lab. Eindhoven, Eindhoven, NLD)
,
COULMAN B
(Philips Research Lab., CA, USA)
,
BURROW B J
(Philips Research Lab., CA, USA)
,
SADANA D K
(Philips Research Lab., CA, USA)
資料名：
Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications
(Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications)
ページ： 63-79 発行年： 1986年
JST資料番号： K19880493 ISBN： 0-931837-32-4 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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