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文献
J-GLOBAL ID：200902028969215920
整理番号：82A0044904
シリコンにおける表面レリーフの速い直接書込みのためのレーザ化学法
Laser chemical technique for rapid direct writing of surface relief in silicon.
EHRLICH D J
(Massachusetts Inst. Technology)
,
OSGOOD R M JR
(Massachusetts Inst. Technology)
,
DEUTSCH T F
(Massachusetts Inst. Technology)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 38 号： 12 ページ： 1018-1020 発行年： 1981年06月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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