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文献
J-GLOBAL ID：200902029264849756
整理番号：87A0291145
弱い吸収の半導体薄膜の厚み,光学定数および緩和時間の決定の新方法
A new method for the determination of the thickness, the optical constants and the relaxation time of weakly absorbing semiconducting thin films.
KUSHEV D B
(Clement Okhridsky Univ. Sofia, Sofia, BGR)
,
ZHELEVA N N
(Clement Okhridsky Univ. Sofia, Sofia, BGR)
,
DEMAKOPOULOU Y
(Aristotelian Univ. Salonika, Salonika, GRC)
,
SIAPKAS D
(Aristotelian Univ. Salonika, Salonika, GRC)
資料名：
Infrared Physics
(Infrared Physics)
巻： 26 号： 6 ページ： 385-393 発行年： 1986年11月
JST資料番号： H0184A ISSN： 0020-0891 CODEN： INFPAD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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