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文献
J-GLOBAL ID：200902029837372577
整理番号：90A0287532
n型シリコンにおける電気化学的エッチトレンチの生成機構と性質
Formation mechanism and properties of electrochemically etched trenches in n-type silicon.
LEHMANN V
(Siemens AG, Munich, DEU)
,
FOELL H
(Siemens AG, Munich, DEU)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 137 号： 2 ページ： 653-659 発行年： 1990年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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