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文献
J-GLOBAL ID：200902030100577834
整理番号：86A0336620
分子ビームエピタキシー法で作ったGaAs/AlGaAs系量子井戸の光学的性質
Optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy.
PEARAH P J
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
MASSELINK W T
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
HENDERSON T
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
PENG C K
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
MORKOC H
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
SANDERS G D
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
,
CHANG Y-C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 4 号： 2 ページ： 525-527 発行年： 1986年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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