文献
J-GLOBAL ID:200902030404207200
整理番号:86A0336633
分子ビームエピタキシー法で作ったInAs,GaAsおよびAlAsベースのヘテロ構造膜における固溶体のクラスタ化と界面の粗さの理論的研究
Theoretical studies of alloy clustering and interface roughness in InAs, GaAs, and AlAs based heterostructures grown by molecular beam epitaxy.
著者 (4件):
SINGH J
(Univ. Michigan)
,
DAVIES B
(AFWAL, Ohio)
,
DUDLEY S
(AFWAL, Ohio)
,
BAJAJ K K
(AFWAL, Ohio)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
4
号:
2
ページ:
558-559
発行年:
1986年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)