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文献
J-GLOBAL ID：200902031008987682
整理番号：86A0497401
Siにおける深い硫黄中心の電子構造
Electronic structure of deep-lying sulfur centers in Si.
KRAG W E
(Massachusetts Inst. Technology)
,
KLEINER W H
(Massachusetts Inst. Technology)
,
ZEIGER H J
(Massachusetts Inst. Technology)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 33 号： 12 Pt 1 ページ： 8304-8320 発行年： 1986年06月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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