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文献
J-GLOBAL ID：200902031961611703
整理番号：89A0142329
水素化非晶質シリコンにおけるドリフト実験の位置およびテイル状態行列シミュレーションから得た電子輸送パラメータとテイル状態分布
Electron-transport parameters and tail-state distribution in hydrogenated amorphous silicon obtained from position and tail-state matrix simulation of drift experiments.
VANDERHAGHEN R
(Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 38 号： 15 ページ： 10755-10775 発行年： 1988年11月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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