文献
J-GLOBAL ID:200902031988021495
整理番号:86A0513224
りん化インジウムのイオンビームエッチングおよび表面特徴づけ
Ion beam etching and surface characterization of indium phosphide.
著者 (4件):
BOUADMA N
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
,
DEVOLDERE P
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
,
JUSSERAND B
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
,
OSSART P
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
48
号:
19
ページ:
1285-1287
発行年:
1986年05月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)