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文献
J-GLOBAL ID：200902032162242521
整理番号：89A0155952
超高真空イオンビームスパッタリング成膜法によるシリコン基板面へのイットリア安定化ジルコニア膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of yttria-stabilized zirconia films on silicon by ultrahigh vacuum ion beam sputter deposition.
LEGAGNEUX P
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
,
GARRY G
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
,
DIEUMEGARD D
(Thomson-CSF, Orsay, FRA)
,
SCHWEBEL C
(Univ. Paris XI, Orsay, FRA)
,
PELLET C
(Univ. Paris XI, Orsay, FRA)
,
GAUTHERIN G
(Univ. Paris XI, Orsay, FRA)
,
SIEJKA J
(Univ. Paris VII, Paris, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 53 号： 16 ページ： 1506-1508 発行年： 1988年10月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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