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文献
J-GLOBAL ID：200902032672161704
整理番号：88A0556967
77Kと300KにおけるサブミクロンSi n-MOSFETのモンテカルロシミュレーション
Monte-Carlo simulation of submicrometer Si n-MOSFET’s at 77 and 300K.
LAUX S E
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
,
FISCHETTI M V
(IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 9 号： 9 ページ： 467-469 発行年： 1988年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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