文献
J-GLOBAL ID:200902032683646491
整理番号:86A0485441
低圧MOCVDによるAlxGa1-xAsのエピタキシャル成長
Epitaxial growth of AlxGa1-xAs by low-pressure MOCVD.
著者 (5件):
TAKAGISHI S
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
MORI H
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
KIMURA K
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
KAMON K
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
,
ISHII M
(Optoelectronics Joint Research Lab., Kawasaki)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
75
号:
3
ページ:
545-550
発行年:
1986年06月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)