文献
J-GLOBAL ID:200902032739452458
整理番号:86A0211184
InAs/GaAsひずみ層超格子の分子ビームエピタキシー成長と評価
Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices.
著者 (5件):
GOLDSTEIN L
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
,
GLAS F
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
,
MARZIN J Y
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
,
CHARASSE M N
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
,
LE ROUX G
(Centre National d’Etudes des Telecommunications, France)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
47
号:
10
ページ:
1099-1101
発行年:
1985年11月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)