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文献
J-GLOBAL ID：200902032956322147
整理番号：86A0321394
CMOS ICのゲート酸化膜の短絡現象の電気的特性と試験留意点
Electrical characteristics and testing considerations for gate oxide shorts in CMOS ICs.
HAWKINS C F
(Univ. New Mexico)
,
SODEN J M
(Sandia National Lab., NM)
資料名：
Proceedings. International Test Conference
(Proceedings. International Test Conference)
巻： 1985 ページ： 544-555 発行年： 1985年
JST資料番号： E0211B ISSN： 1089-3539 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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