文献
J-GLOBAL ID:200902033145763727
整理番号:86A0267280
イオン後方散乱とチャネリングおよび構造解析によるアンチモンを注入しレーザ焼なまししたSiの研究
Investigation of laser-annealed antimony implanted si by ion backscattering and channeling and structure analysis.
著者 (5件):
BHATTACHARYA P K
(Bhabha Atomic Research Centre, India)
,
KANSARA M J
(Bhabha Atomic Research Centre, India)
,
NATHAN T P S
(Bhabha Atomic Research Centre, India)
,
SINGH P
(Bhabha Atomic Research Centre, India)
,
WAGH A G
(Bhabha Atomic Research Centre, India)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
39
号:
2
ページ:
147-153
発行年:
1986年02月
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)