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文献
J-GLOBAL ID：200902033160815717
整理番号：89A0002788
強誘電体記憶セルを持つ実験的512-ビット不揮発性メモリ
An experimental 512-bit nonvolatile memory with ferroelectric storage cell.
EVANS J T
(Krysalis Corp., NM, USA)
,
WOMACK R
(Krysalis Corp., NM, USA)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 23 号： 5 ページ： 1171-1175 発行年： 1988年10月
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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