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文献
J-GLOBAL ID：200902033224415220
整理番号：86A0196000
GaAlAs-GaAsダブルヘテロ接合構造バイポーラトランジスタの直流特性に関する解析
Analysis of d.c. characteristics of GaAlAs-GaAs double heterojunction bipolar transistors.
ANKRI D
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
AZOULAY R
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
CAQUOT E
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
DANGLA J
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
DUBON C
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
,
PALMIER J F
(Centre National d’Etudes des T<span style=text-decoration:overline>e ́</span>l<span style=text-decoration:overline>e ́</span>communications, France)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 29 号： 2 ページ： 141-149 発行年： 1986年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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