文献
J-GLOBAL ID:200902033411372038
整理番号:87A0304942
将来のスタティックRAMのための,新しくスケールダウンされた酸素を打ち込んだポリシリコン抵抗
A novel scaled down oxygen implanted polysilicon resistor for future static RAMs.
著者 (4件):
SAITO R
(Hitachi Ltd., Hitachi City, JPN)
,
SAWAHATA Y
(Hitachi Ltd., Hitachi City, JPN)
,
NAGANO T
(Hitachi Ltd., Hitachi City, JPN)
,
MOMMA N
(Hitachi Ltd., Hitachi City, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
1986
ページ:
296-299
発行年:
1986年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)